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双层过渡金属硫族化合物可控外延制备获新突破

亚洲城报导:
     大面积高质量单晶的生长一直是现代电子技术得以高速发展的基石。为了突破硅基电子学摩尔定律的限制,当前电子学研究的热点集中在二维过渡金属硫族化合物(TMDs)上。但是,如何精确控制这种原子层级的二维晶体的外延逐层生长,一直是一个难以解决的难题。近日,笔者从江南大学获悉,由该校物联网工程学院顾晓峰、肖少庆教授等组成的科研团队(低维半导体材料与器件实验室),通过多年反复研究与试验,提出了一种具有普适性的氢气辅助反向气流化学气相外延法,实现了多种TMDs及其合金高质量双层单晶的大范围可控生长。

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